160 天然優勢，背靠祖國

DRAM（DynamicRandomAccessMemory），即動態隨機存取存儲器，最為常見的系統內存。也是在計算機、手機等設備中最常見的基礎晶片。

三星第一塊64KDRAM投放市場時是1984年，比日本人足足晚了40個月。

第一塊256KDRAM投放市場時是1986年，比日本人晚了24個月。

第一塊1MDRAM投放市場時是1986年，比日本人只晚了12個月。

1989年三星第一塊4MDRAM與日本人幾乎是同時投放市場的。

1992年，三星開始領先日本，推出全球第一個64MDRAM產品。

而同時期的日本半導體工業，從1985年開始日本經濟進入泡沫化，全民炒房。

1985年日本人砍掉了40%的設備更新投資和科技紅利投入。

1986-1987年日本人有效研發投入從4780億日元降低到只有2650億日元，下降幅度達80%，這就給韓國人反超的機會。

這就是大家所熟悉的，韓國人在半導體領域的所謂的第一次“反周期投資”。

從1992-1999年，韓國人通過持續科技紅利之有效研發投入進一步夯實64MDRAM勝利果實的基礎上，通過壓強原則，擴大對日本人的競爭優勢，完成了從追趕到超越的大逆襲過程。

1990年，16MDRAM，韓國人推出的時間滯後於日本人3個月。

1992年，64MDRAM，韓國人略微領先於日本人。

到1998年，韓國人全球第一個開發256MDRAM、128MSDRAM、128MFLASH。

到1999年，韓國人全球第一個開發1GDRAM。

在著名的《科技紅利大時代》一書中，首次提出科技紅利、有效研發投入和壓強係數等科技紅利的研究思想。

從科技紅利思想的角度，龐煖們看看韓國人又是如何通過提高壓強係數，實現對日本人的逆襲。

1992年韓國人64MDRAM略微領先於日本人和米國人成功研製后，韓國人並沒有停下科技紅利之有效研發投入。

1993年反而通過壓強原則，重點攻擊，科技紅利之有效研發投入同比增長70.19%，鞏固對日本人的領先優勢。

1995年韓國人再次快速提升壓強係數，科技紅利之有效研發投入再次大幅度提升，同比增速高達96.82%。

1996-1997年連續兩年保持高位壓強係數狀態。

這才有了1998年128MSDRAM、128MFLASH、256MDRAM、1GDRAM的全球第一個推出市場，從而完美的實現大逆襲。

第三，產業鏈垂直一體化，加強上游設備和電子化學品原材料的國產化。

上世紀90年代，韓國政府主導推出總預算2000億韓元(2.5億美元)的半導體設備國產化項目，鼓勵韓國企業投資設備和電子化學品原料供應鏈。

韓國工貿部在漢城南部80公里的松炭和天安，設立兩個工業園區，專門供給半導體設備廠商設廠。

為了獲取先進技術，韓國人以優厚條件招攬米國化工巨頭杜邦、矽片原料巨頭MEMC、日本DNS(大日本網屏)等廠商，在韓國設立合資公司。

由此，韓國人半導體產業鏈上游關鍵設備和電子化學品原材料初具規模。

第四，產業鏈橫向擴張，從存儲器晶片到CPU晶片、DSP晶片等。

以三星為例，通過與米國、歐洲企業建立聯盟合作關係，三星在DRAM之外，獲得了大量晶片產業資源。

從米國SUN公司引進JAVA處理器技術。

從法國STM(意法半導體)引進DSP晶片技術。

從英國ARM引進音視頻處理晶片技術。

與日本東芝、NEC、沖電氣(OKI)展開新型閃存FLASH方面的技術合作等。

客觀而言，產業鏈橫向擴張對於天朝是很難複製的，因為西方列強根本不會對天朝輸出半導體集成電路晶片的核心技術。

即使天朝諸多企業溢價用巨額資金購買也是諸多困難。

但堅持產業鏈的橫向擴張，這是成為半導體強國的必經之路。

1992年三星全球第一個成功研製64MDRAM。64MDRAM，矽片直徑為200-250mm，晶片面積為135mm2，集成度為140000000。

採用的主要技術為超凈技術和3.3V低電壓化技術。

在集成度方面，韓國人是日本人的360%。

依靠64MDRAM，三星超越日本NEC，首次成為全球第一大DRAM內存製造商。

此後，韓國開始制霸之路，連續25年蟬聯世界第一。

韓國成為全球半導體內存市場第四個霸主。

1996年，韓國三星的DRAM晶片出口額達到62億美金，居世界第一。

日本NEC居第二。

韓國現代以21.26億美金居第三位。

韓國LG以15.4億美金居第九位。

不到十年時間，韓國人一舉打垮日本人，牢牢佔據了全球半導體內存市場。

至此，韓國人全面崛起於日韓半導體戰爭，成為全球半導體工業大國。

再次回顧韓國人崛起的歷史過程。

1968-1980年，在米國人幫助下，韓國人完成追趕，初步建立了半導體工業體系。

半導體工業產值從不足2000萬美元，增加到15億美金以上。

半導體出口產值從300萬美金，增加到11億美金以上。

1980-1985年，韓國人在米國人扶持下，僅僅用5年時間快速完成並掌握16K、64K、256KDRAM的關鍵技術的研製，一舉超越日本人過去三十年的所有努力。

5年時間，韓國半導體工業產值達41.87億美金，期間增長176%。

韓國半導體出口產值達25.33億美金，期間增長113%。

1986-1997年，第二次DRAM世界大戰-日韓半導體戰爭爆發。

米國人“扶韓抗日”，在米國人全力扶持下，特別是1985、1991年《美日半導體協議》的簽署，到1994年韓國人在64M、256MDRAM完成對日本人的從追趕到領先。

這一時期，韓國半導體工業產值超過225億美金，期間增長437%。

韓國半導體出口產值131億美金，期間增長418%。

韓國人完成從半導體發展天朝家到全球半導體大國的轉變。

1998-2010年的第三次DRAM世界大戰-韓台半導體戰爭，韓國人完成了自身DRAM核心技術的“米國基因”轉型為“獨立自主基因”，最終實現了從半導體大國蛻變為半導體強國。

在這一時期，韓國人主要的成功經驗有：

第一，挺進天朝大陸市場，構築廣闊的戰略縱深。

如同日韓半導體戰爭中，米國人放開米國國內市場給韓國人一般。挺進天朝大陸市場，韓國人具有了廣闊的戰略縱深。

龐煖們以海力士為例：

陷入1997年東南亞金融危機的韓國海力士(Hynix)，以3.8億美金的價格，將TFT-LCD部門整體售給京東方，海力士就此專註於DRAM領域，並獲得寶貴的資金和天朝市場。

2004年，海力士和意法半導體在無錫設立12寸晶圓廠，項目總投資20億美金。

其中，海力士和意法半導體出資10億美金，主要是2億美金的二手設備折價、5.5億美金現金和2.5億美金股東貸款。另外10億美金由無錫市政府承擔。

另外，在20億美金總投資之外，無錫市政府還承擔廠房建設，無錫市政府一共出資3億美元建設兩座佔地54萬平方米，面積32萬平方米的晶圓廠房，租賃給韓國海力士及意法半導體使用。

2006年海力士90納米技術生產的8英寸晶圓順利下線，合格率超過95%。

工商銀行江蘇分行牽頭，11家中資銀行、9家外資銀行組成貸款團對無錫海力士項目放貸5年期的7.5億美金貸款。

海力士拿着韓國利川工廠淘汰的8英寸晶圓設備，依靠天朝資金、土地、工人和天朝市場，用區區3億美金撬動了一項20億美金的投資。

面對東南亞危機，依託天朝市場戰略縱深，韓國人僅用2年時間就恢復了元氣。

特別是海力士，2000年，DRAM整體月產量由第三季度的6500萬顆，第四季度就快速擴增到8000萬顆，增長了23.07%。

同時128M以上產品的生產比重由20%提高到36%。

128MDRAM：3個月內，月產量由650萬顆提高到1400萬顆，增長了115%。

256MDRAM：4個月內，月產量由40萬顆提高到140萬顆，增長了250%，生產比重由2.4%提高到6%。

2008年全球金融危機爆發后，一年時間內，全球DRAM產業累計虧損超過125億美金，苔彎省DRAM產業更是全線崩盤。

南亞科，從2007年起連續虧損六年，累計虧損1608.6億元新台幣(49億美金)。

華亞科技從2008年起連續虧損五年，累計虧損804.48億元新台幣(24.4億美金)。

這兩家由台塑集團投資的DRAM廠，一共虧損2413.08億元(73億美金)。

其他苔彎DRAM企業虧損分別為，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。

苔彎五家DRAM廠幾乎每天虧損1億元，合計虧損1592億元新台幣(48億美金)。

反觀韓國人，依託天朝大陸市場的戰略縱深，憑藉無錫海力士的投產，海力士僅僅一年時間就恢復元氣。

2009年第一季度，海力士凈虧損為1.19萬億韓元(9.33億美金)。

2009年第二季度，凈虧損僅為580億韓元(0.45億美金)。

2009年第三季度，海力士扭虧為盈。

2010年第一季度，海力士凈利潤暴漲到7.38億美金。

2010年全年，海力士全球銷售額達到12萬億韓元(107億美金)，凈利潤高達26.7億美金。

金融危機中，依託天朝大陸市場，韓國人化“危”為“機”。

隨後，海力士又向天朝商務部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠(80納米工藝)並迅速通過審批。

這就是韓國人所謂的“反周期投資”。

再比如，三星，依託天朝大陸市場縱深，在“韓日NANDFLASH戰鬥”中，徹底打垮老對手日本東芝。

2011年韓國三星與日本東芝在NANDFLASH領域展開全球競爭。

當時三星在韓國華城(Fab12、Fab16)、器興(Fab14)和米國德州奧斯汀，共有4座NANDFLASH12英寸晶圓廠，年產能450萬片晶圓。

為了拉開與東芝的差距，三星決定新建NANDFLASH工廠。

經過談判，三星最終選擇落戶天朝西安，項目總投資300億美金，分三期建設。

西安市為此項目提供了巨額補貼，包括：

1、三星需要的130萬平方米廠房，由西安市建設並免費提供1500畝土地。

2、2、西安市每年向三星補貼水、電、綠化、物流費用5億元。

3、3、西安市財政對投資額進行30%的補貼。

4、4、西安市對所得稅徵收，前十年全免，后十年半額徵收。同時西安市還承諾，將為項目修建高速公路和地鐵等交通基礎設施，總的補貼金額保守估計在300億元以上。

龐煖們需要注意的是，2011年三星半導體全球銷售金額也不過才285.63億美金，300億美金總投資的西安項目對於“韓日NANDFLASH戰鬥”的意義之重大性，不言而喻。

當三星的西安項目落成之後，2016年東芝就過不下去了，2017年東芝不得不出售存儲部門。

韓國人幾乎是不費吹灰之力就贏取了這場“韓日NANDFLASH戰鬥”，這就是韓國人的“反周期投資”。

今日，還有多少人記得，NANDFALSH是日本人發明的呢？

早在1980年，日本東芝的藤尾增岡招聘4名工程師啟動一個秘密的項目以研發下一代存儲晶片，實現存儲大量數據，並且讓用戶可以買得起。藤尾增岡聲稱：“龐煖們知道只要電晶體在尺寸上降下來，那麼晶片的成本也將會下降。”很快推出了一款EEPROM的改良產品，記憶單元由1個電晶體組成。在當時，常規的EEPROM每個記憶單元需要2個電晶體，這個小小的不同對價格帶來了巨大的影響，日本人將這個晶片稱為FLASH，這個名字也是因為晶片的超快擦除能力，FLASH晶片基於NAND技術，這一技術可以提供更高容量的存儲，並且更容易製造。1989年，東芝首款NANDFLASH上市。

對天朝大陸市場戰略縱深，日本人又是如何態度？

嗯，從小泉純一郎到現在的安倍，他們天天忙着來種花家鬧事，比如釣魚島。

釣魚島主權自古以來就屬於天朝人的！干你大爺的小日本！

天朝大陸市場這一廣闊的戰略縱深，在2008年全球金融危機，使得韓國人僅僅一年時間就恢復元氣進而徹底打垮苔彎人，在全球半導體存儲器的壟斷地位一直延續至今。

全球半導體產業的競爭，已經不僅是科技的競爭，更是涵蓋政治、經濟等綜合實力的國運之戰。

具有一個廣闊的戰略市場縱深，意義是非凡的。

這就是龐煖做為一個天朝人做半導體產業的最大優勢，天然的祖國優勢，背靠着一個巨大無比的戰略市場縱深。